TI ha desarrollado su silicio con procesos avanzados a 130 nanometros y con un diodo Schottky incorporado para una conversión más eficiente de energía con señal de radiofrecuencia. El resultado son chips de silicio de bajo consumo y mayor sensitividad chip-a-lector, que pueden ser escritos en las más bajas condiciones de energía a pesar de interferencias electromagnéticas de fondo, comunes en los típicos entornos industriales.
Esa mejora en la sensitividad permite hacer un seguimiento más preciso de los productos y cajas en las operaciones de la cadena de suministro y mejorar el flujo de procesos. El chip también consigue rangos de lectura fiables tanto en entornos estándares como en “dense mode”.
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